Peide Ye

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Adam T. NealAir Force Research LabDirección de correo verificada de us.af.mil
Gang QiuUniversity of Minnesota/UCLADirección de correo verificada de g.ucla.edu
Yi XUANUniversity of Pittsburgh, School of MedicineDirección de correo verificada de pitt.edu
Xianfan XuPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Yanqing WuPeking UniversityDirección de correo verificada de pku.edu.cn
Wenzhuo Wu (武文倬)School of IE; Flex Lab; Birck Nanotechnology Center; Regenstrief Center for Healthcare; PurdueDirección de correo verificada de purdue.edu
Hong ZhouXidian UniversityDirección de correo verificada de xidian.edu.cn
Adam CharnasPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Ali ShakouriProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Muhammad Ashraful AlamJai N. Gupta Professor of Electrical Engineering, Purdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Haiyan WangPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Dennis Han Chung LinIMECDirección de correo verificada de imec.be
Chang NiuPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Yong P. ChenPurdue University; Aarhus University; WPI-AIMR; MUSTDirección de correo verificada de purdue.edu
Dieter WeissUniversitaet Regensburg, Max-Planck Institut FKF Stuttgart, TU München; Technical University MunichDirección de correo verificada de ur.de
James C. M. HwangProfessor of Materials Science and Engineering, Cornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
M. HongNatl Taiwan Univ. Bell LaboratoriesDirección de correo verificada de phys.ntu.edu.tw
Sami AlghamdiAssistant Professor at King Abdulaziz University - PhD, Purdue UniversityDirección de correo verificada de kau.edu.sa
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Peide Ye

Richard J. and Mary Jo Schwartz Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue University

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Microelectronic devices nano-materials nano-electronics condense-matter physics


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Phosphorene: an unexplored 2D semiconductor with a high hole mobility H Liu, AT Neal, Z Zhu, Z Luo, X Xu, D Tománek, PD Ye ACS nano 8 (4), 4033-4041, 2014	6173	2014
Semiconducting black phosphorus: synthesis, transport properties and electronic applications H Liu, Y Du, Y Deng, DY Peide Chemical Society Reviews 44 (9), 2732-2743, 2015	1442	2015
Black Phosphorus–Monolayer MoS₂ van der Waals Heterojunction p–n Diode Y Deng, Z Luo, NJ Conrad, H Liu, Y Gong, S Najmaei, PM Ajayan, J Lou, ... ACS nano 8 (8), 8292-8299, 2014	1274	2014
Channel Length Scaling of MoS₂ MOSFETs H Liu, AT Neal, PD Ye ACS nano 6 (10), 8563-8569, 2012	864	2012
Chloride Molecular Doping Technique on 2D Materials: WS₂ and MoS₂ L Yang, K Majumdar, H Liu, Y Du, H Wu, M Hatzistergos, PY Hung, ... Nano letters 14 (11), 6275-6280, 2014	724	2014
Anisotropic in-plane thermal conductivity observed in few-layer black phosphorus Z Luo, J Maassen, Y Deng, Y Du, RP Garrelts, MS Lundstrom, PD Ye, ... Nature communications 6 (1), 8572, 2015	678	2015
Fabrication of fully transparent nanowire transistors for transparent and flexible electronics S Ju, A Facchetti, Y Xuan, J Liu, F Ishikawa, P Ye, C Zhou, TJ Marks, ... Nature nanotechnology 2 (6), 378-384, 2007	620	2007
Field-effect transistors made from solution-grown two-dimensional tellurene Y Wang, G Qiu, R Wang, S Huang, Q Wang, Y Liu, Y Du, WA Goddard III, ... Nature Electronics 1 (4), 228-236, 2018	609	2018
GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility-transistor with atomic layer deposited Al2O3 as gate dielectric PD Ye, B Yang, KK Ng, J Bude, GD Wilk, S Halder, JCM Hwang Applied Physics Letters 86 (6), 2005	567	2005
Phosphorene excites materials scientists ES Reich Nature 506 (7486), 19, 2014	554	2014
Bandgap engineering of two-dimensional semiconductor materials A Chaves, JG Azadani, H Alsalman, DR Da Costa, R Frisenda, AJ Chaves, ... npj 2D Materials and Applications 4 (1), 29, 2020	532	2020
Dual-Gate MOSFET With Atomic-Layer-Depositedas Top-Gate Dielectric H Liu, DY Peide IEEE electron device letters 33 (4), 546-548, 2012	513	2012
Device perspective for black phosphorus field-effect transistors: contact resistance, ambipolar behavior, and scaling Y Du, H Liu, Y Deng, PD Ye ACS nano 8 (10), 10035-10042, 2014	472	2014
Steep-slope hysteresis-free negative capacitance MoS₂ transistors M Si, CJ Su, C Jiang, NJ Conrad, H Zhou, KD Maize, G Qiu, CT Wu, ... Nature nanotechnology 13 (1), 24-28, 2018	453	2018
Electrons in a periodic magnetic field induced by a regular array of micromagnets PD Ye, D Weiss, RR Gerhardts, M Seeger, K Von Klitzing, K Eberl, ... Physical review letters 74 (15), 3013, 1995	437	1995
InP-based transistor fabrication P Ye, Z Cheng, Y Xuan, Y Wu, B Adekore, J Fiorenza US Patent 8,329,541, 2012	426	2012
GaAs metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with nanometer-thin dielectric grown by atomic layer deposition PD Ye, GD Wilk, B Yang, J Kwo, SNG Chu, S Nakahara, HJL Gossmann, ... Applied Physics Letters 83 (1), 180-182, 2003	405	2003
High-performance inversion-type enhancement-mode InGaAs MOSFET with maximum drain current exceeding 1 A/mm Y Xuan, YQ Wu, PD Ye IEEE Electron Device Letters 29 (4), 294-296, 2008	389	2008
Contacts between Two- and Three-Dimensional Materials: Ohmic, Schottky, and p–n Heterojunctions Y Xu, C Cheng, S Du, J Yang, B Yu, J Luo, W Yin, E Li, S Dong, P Ye, ... ACS nano 10 (5), 4895-4919, 2016	361	2016
GaAs MOSFET with oxide gate dielectric grown by atomic layer deposition PD Ye, GD Wilk, J Kwo, B Yang, HJL Gossmann, M Frei, SNG Chu, ... IEEE Electron Device Letters 24 (4), 209-211, 2003	336	2003

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