Robert M. Wallace

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Christopher HinkleUniversity of Notre Dame, Electrical EngineeringDirección de correo verificada de nd.edu
Stephen McDonnellUniversity of VirginiaDirección de correo verificada de virginia.edu
Rafik AddouOregon State UniversityDirección de correo verificada de oregonstate.edu
Bruce GnadeSMUDirección de correo verificada de smu.edu
Luigi ColomboUniversity of Texas at DallasDirección de correo verificada de utdallas.edu
Eric M VogelProfessor of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of TechnologyDirección de correo verificada de mse.gatech.edu
Barry BrennanAtlantic Technological UniversityDirección de correo verificada de atu.ie
Hong DongNankai UniversityDirección de correo verificada de nankai.edu.cn
Rodney RuoffThe IBS CMCM, Dept. of Chemistry, Dept. of MS&ESchool of Energy and ChEng,Dirección de correo verificada de unist.ac.kr
Manuel Quevedo-lopezUniversity of Texas at DallasDirección de correo verificada de utdallas.edu
Francisco Servando Aguirre-TostadoCentro de Investigación en Materiales Avanzados, S.C., Unidad MonterreyDirección de correo verificada de cimav.edu.mx
Cheng GongAssistant Professor, University of MarylandDirección de correo verificada de umd.edu
Joshua A. RobinsonProf. MatSE; Center for 2DLM; ATOMIC; 2D Crystal Consort.; The Pennsylvania State UniversityDirección de correo verificada de psu.edu
Santosh KCSan José State UniversityDirección de correo verificada de sjsu.edu
pk hurleyTyndall National Institute, University College CorkDirección de correo verificada de tyndall.ie
Dmitry ZhernokletovIntermolecular Inc.Dirección de correo verificada de intermolecular.com
Lanxia ChengStaff Engineer_EMD ElectronicsDirección de correo verificada de emdgroup.com
Bongki LeeTechnology Development Engineer, GLOBALFOUNDRIESDirección de correo verificada de globalfoundries.com
Chadwin D. YoungUniversity of Texas at DallasDirección de correo verificada de utdallas.edu
Chenxi ZhangUniversity of Texas at DallasDirección de correo verificada de utdallas.edu

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Electronic Materials Surfaces Interfaces


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
High-κ gate dielectrics: Current status and materials properties considerations GD Wilk, RM Wallace, JM Anthony Journal of applied physics 89 (10), 5243-5275, 2001	7635	2001
Carbon-based supercapacitors produced by activation of graphene Y Zhu, S Murali, MD Stoller, KJ Ganesh, W Cai, PJ Ferreira, A Pirkle, ... science 332 (6037), 1537-1541, 2011	6317	2011
Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics GD Wilk, RM Wallace, JM Anthony Journal of Applied Physics 87 (1), 484-492, 2000	1365	2000
The effect of chemical residues on the physical and electrical properties of chemical vapor deposited graphene transferred to SiO2 A Pirkle, J Chan, A Venugopal, D Hinojos, CW Magnuson, S McDonnell, ... Applied Physics Letters 99 (12), 2011	1095	2011
The role of oxygen during thermal reduction of graphene oxide studied by infrared absorption spectroscopy M Acik, G Lee, C Mattevi, A Pirkle, RM Wallace, M Chhowalla, K Cho, ... The Journal of Physical Chemistry C 115 (40), 19761-19781, 2011	924	2011
Band alignment of two-dimensional transition metal dichalcogenides: Application in tunnel field effect transistors C Gong, H Zhang, W Wang, L Colombo, RM Wallace, K Cho Applied Physics Letters 103 (5), 2013	846	2013
Defect-Dominated Doping and Contact Resistance in MoS₂ S McDonnell, R Addou, C Buie, RM Wallace, CL Hinkle ACS nano 8 (3), 2880-2888, 2014	832	2014
Near-unity photoluminescence quantum yield in MoS₂ M Amani, DH Lien, D Kiriya, J Xiao, A Azcatl, J Noh, SR Madhvapathy, ... Science 350 (6264), 1065-1068, 2015	800	2015
The Unusual Mechanism of Partial Fermi Level Pinning at Metal–MoS₂ Interfaces C Gong, L Colombo, RM Wallace, K Cho Nano letters 14 (4), 1714-1720, 2014	728	2014
Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric RM Wallace, RA Stoltz, GD Wilk US Patent 6,013,553, 2000	714	2000
High-K materials and metal gates for CMOS applications J Robertson, RM Wallace Materials Science and Engineering: R: Reports 88, 1-41, 2015	691	2015
Electrical properties of hafnium silicate gate dielectrics deposited directly on silicon GD Wilk, RM Wallace Applied Physics Letters 74 (19), 2854-2856, 1999	672	1999
Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation ZY Al Balushi, K Wang, RK Ghosh, RA Vilá, SM Eichfeld, JD Caldwell, ... Nature materials 15 (11), 1166-1171, 2016	669	2016
Hole Selective MoO_x Contact for Silicon Solar Cells C Battaglia, X Yin, M Zheng, ID Sharp, T Chen, S McDonnell, A Azcatl, ... Nano letters 14 (2), 967-971, 2014	587	2014
MoS₂ P-type Transistors and Diodes Enabled by High Work Function MoO_x Contacts S Chuang, C Battaglia, A Azcatl, S McDonnell, JS Kang, X Yin, M Tosun, ... Nano letters 14 (3), 1337-1342, 2014	582	2014
GaAs interfacial self-cleaning by atomic layer deposition CL Hinkle, AM Sonnet, EM Vogel, S McDonnell, GJ Hughes, M Milojevic, ... Applied Physics Letters 92 (7), 2008	487	2008
Stable zirconium silicate gate dielectrics deposited directly on silicon GD Wilk, RM Wallace Applied Physics Letters 76 (1), 112-114, 2000	434	2000
Atomically Thin Resonant Tunnel Diodes built from Synthetic van der Waals Heterostructures YC Lin, RK Ghosh, R Addou, N Lu, SM Eichfeld, H Zhu, MY Li, X Peng, ... Nature Communications 6, 7311, 2015	432	2015
Manganese Doping of Monolayer MoS₂: The Substrate Is Critical K Zhang, S Feng, J Wang, A Azcatl, N Lu, R Addou, N Wang, C Zhou, ... Nano letters 15 (10), 6586-6591, 2015	430	2015
First-principles study of metal–graphene interfaces C Gong, G Lee, B Shan, EM Vogel, RM Wallace, K Cho Journal of Applied Physics 108 (12), 2010	427	2010

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